）弗劳恩霍夫光子微体系研究所的科学家们现在现已开宣布一种立异的高压CMOS背板，并能轻松完成反常亮堂的微显现器。

  比如AR眼镜和VR头显等都能获益于MicroOLED显现器的图画质量和高亮度。

  坚持长寿数的一起进步亮度的常用方法是运用多个堆叠的OLED。但堆叠OLED层会添加整个结构的电压降和电压摆幅，并对背板技能提出了高要求。

  经过立异规划，弗劳恩霍夫光子微体系研究所的科学家们现在现已开宣布一种立异的高压CMOS背板，并能轻松完成反常亮堂的微显现器。

  团队指出：“咱们开宣布一种立异的规划，答应超越10伏的电压摆幅。依据堆叠单元的数量，可以在坚持稳定电流密度的一起完成高电流功率的最大发射倍数。这种方法可以完成超越10,000 cd/m²的全五颜六色最大亮度，一起坚持寿数和可靠性。”

  电流密度：OLED在典型作业状态下的电流密度低于100 mA/cm²，具有更高的功率和更长的惯例运用的寿数。相比之下，MicroLED需求超越1A/cm²的电流密度，导致功率大幅下降。

  亮度：经过多层堆叠OLED 技能，亮度可提升至超越10,000 cd/m²，进一步拓宽了其在亮堂环境中的使用可能性。

  综上所述，OLED技能在成熟度、功率和颜色表现力方面均展现出明显优势，而MicroLED仍然需在技能方面获得打破。

  现在，经过在高压CMOS背板使用多层堆叠的OLED技能，亮度能进步至约10,000 cd/m²，从而为超高亮度OLED微型显现器的市场推广带来全新的机会。